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高效晶體硅太陽(yáng)能電池-LGBC電池(圖)
來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)來(lái)源 日期:2012-8-20 作者:全球電池網(wǎng) 點(diǎn)擊:

LGBC電池是有激光刻槽埋柵電極 (Laser groove bury contact) 工藝電池的簡(jiǎn)稱。由UNSW開(kāi)發(fā)的技術(shù),是利用激光技術(shù)在硅表面上刻槽,然后埋入金屬,以起到前表面點(diǎn)接觸柵極的作用。如圖所示,發(fā)射結(jié)擴(kuò)散后,用激光在前面刻出20μm寬、40μm深的溝槽,將槽清洗后進(jìn)行濃磷擴(kuò)散,然后槽內(nèi)鍍出金屬電極。電極位于電池內(nèi)部,減少了柵線的遮蔽面積,使電池效率達(dá)到19.6%。

與傳統(tǒng)工藝的前表面鍍敷金屬層相比,這種電池具有的優(yōu)點(diǎn)是:柵電極遮光率小、電流密度高,埋柵電極深入硅襯底內(nèi)部可增加對(duì)基區(qū)光生電子的收集,濃磷擴(kuò)散降低濃磷區(qū)電阻功耗和柵指電極與襯底的接觸電阻功耗,提高了電池的開(kāi)路電壓。

圖 7 :新南威爾士大學(xué) 激光刻槽埋柵電池 h =19.8%

這種電池既保留了高效電池的特點(diǎn),又省去了高效電池制作中的一些復(fù)雜的工藝,很適合利用低成本、大面積的硅片進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。目前這一技術(shù)已經(jīng)轉(zhuǎn)讓給好幾家世界上規(guī)模較大的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠。如英國(guó)的BP SOLAR和美國(guó)的SOLAREX等。

激光刻槽埋柵電池的大致工藝流程為:

硅片->清洗制絨->淡磷擴(kuò)散->熱氧化鈍化->開(kāi)槽->槽區(qū)濃磷擴(kuò)散->背面蒸鋁->燒背場(chǎng)->化學(xué)鍍埋柵->背面電極->減反射膜->去邊燒結(jié)->測(cè)試。

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